Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2004 > № 26 > Дмитриев В.А., Осипов А.М. Моделирование СВЧ транзисторов методом экстраполяции S-параметров

Дмитриев В.А., Осипов А.М. Моделирование СВЧ транзисторов методом экстраполяции S-параметров

УДК 621.382.323
Д м и т р и е в В. А., О с и п о в А. М. Моделирование СВЧ транзисторов методом экстраполяции
S-параметров // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Техн. науки. 2004. № 26, стр. 74-77
Рассматривается инженерный метод моделирования СВЧ полевых транзисторов с барьером Шотки на арсениде галлия. Метод позволяет получать структурную модель проектируемого прибора на основе бесструктурных моделей серийных транзисторов.
Библиогр. 1 назв. Ил. 4.

Загрузить (283 КБ)