Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2020 > №2(118) Технические науки > Желаннов А.В., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Имплантация ионами кремния соединений А3В5

Желаннов А.В., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Имплантация ионами кремния соединений А3В5

УДК 621.382.2
Желаннов А.В., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Имплантация ионами кремния соединений А3В5 // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2020. №2(118). С.20-26. Библиогр. 16 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: ионная имплантация, кремний, отжиг, защитные покрытия, нитрид галлия, арсенид галлия, гетероэпитаксиальная структура, концентрационный профиль, «хвосты распределений»

Исследованы характеристики имплантированных ионами 28Si+ слоев нитрида галлия, подвергнутых высокотемпературному фотонному отжигу в среде азота с применением защитных покрытий SiO2 и Si3N4. Дозы имплантации составляют 1014−1015 см–2, энергии внедряемых ионов — 50-100 кэВ. Исследуемые образцы GaN были выращены методом MOCVD на сапфировой подложке диаметром 2 дюйма. Методом вторичной ионной масс-спектрометрии исследовались распределения примеси в объеме полупроводника. <…>


UDC 621.382.2
Zhelannov A.V., Seleznev B.I., Fedorov D.G. Implantation of А3В5 compounds with silicon ions // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2020. №2(118). P.20-26. The reference list 16 items.

K e y w o r d s: ion implantation, silicon, annealing, protective coatings, gallium nitride, gallium arsenide, heteroepitaxial structure, concentration profile, "distribution tails"

The characteristics of gallium nitride layers implanted with 28Si+ ions, subjected to high-temperature photon annealing in a nitrogen medium using SiO2 and Si3N4 protective coatings, were studied. The implantation doses are 1014-1015 cm–2, and the energy of the implanted ions is 50-100 keV. The studied GaN samples were grown using MOCVD on a 2-inch diameter sapphire substrate. The distribution of impurity in the volume of a semiconductor was studied by secondary ion mass spectrometry. The morphology of protective coatings is studied. The implantation and annealing modes with a high degree of impurity activation were established. The implantation of silicon on the interface of the AlGaN/GaN heterostructure is considered. The concentration profiles of charge carriers characteristic of ion-doped layers used in the manufacture of field-effect transistors with a Schottky barrier on gallium arsenide are studied. The method of measuring surface concentration consists in constant chemical etching of thin layers and measurement of surface electrophysical characteristics. Experimental concentration profiles for GaAs are not Gaussian, but have wide tails due to channeling effects in crystals. We consider ion implantation modes that form ion-doped layers with a sharper profile of the concentration of charge carriers in the “tail”.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2020.2(118).20-26

Загрузить (1716 КБ)