Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2020 > №2(118) Технические науки > Гаврушко В.В., Ионов А.С., Ласткин В.А., Марченко Н.И. Трехцветный сэндвич фотоприемник на основе кремния

Гаврушко В.В., Ионов А.С., Ласткин В.А., Марченко Н.И. Трехцветный сэндвич фотоприемник на основе кремния

УДК 621.382.4
Гаврушко В.В., Ионов А.С., Ласткин В.А., Марченко Н.И. Трехцветный сэндвич фотоприемник на основе кремния // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2020. №2(118). С.4-8. Библиогр. 23 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: регуляция сердечного ритма, готовность к риску, индекс агрессии, максимальное потребление кислорода

Приводится описание конструкции кремниевого фотоприемника, содержащего три последовательно расположенных фотодиода. Диапазоны спектральной чувствительности по уровню 0,5 составили: для первого канала — 0,28 … 0,52 мкм, для второго — 0,45 … 0,95 мкм, для третьего — 0,9 … 1,08 мкм. Приводятся сведения о технологии фотоприемника. Для получения мелкозалегающих слоёв первого канала проводилось ионное легирование донорной примесью. Второй канал формировался диффузией бора на небольшую глубину с пониженной поверхностной концентрацией. Инфракрасный канал создавался диффузией бора с тыльной стороны пластины на большую глубину. В работе приведены значения барьерной емкости и обратных токов фотодиодов.


UDC 621.382.4
Gavrushko V.V., Ionov A.S., Lastkin V.A., Marchenko N.I. Tri-color sandwich photodetector based on silicon // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2020. №2(118). P.4-8. The reference list 23 items.

K e y w o r d s: sandwich photodetector, photodiode, spectral range, barrier capacitance, reverse currents

The design of a silicon photodetector containing three consecutively located photodiodes is described. The ranges of spectral sensitivity at the level of 0.5 were: for the first channel 0.28 ... 0.52 microns, for the second 0.45 ... 0.95 microns, for the third 0.9 ... 1.08 microns. Information about the technology of the photodetector is provided. To obtain shallow layers of the first channel, ion doping with a donor impurity was performed. The second channel was formed by diffusion of boron to a shallow depth with a reduced surface concentration. The infrared channel was created by the diffusion of boron from the back of the plate to a greater depth. The paper gives the values of the barrier capacitance and reverse currents of photodiodes.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2020.2(118).4-8

Загрузить (666 КБ)