Руководители

Заведующий кафедрой
Селезнев Борис Иванович

Заведующий лабораторией
Лебедева Тамара Михайловна

Список сотрудников...

Телефоны подразделения

т. 97 42 70 доб. 1377
Расположение: каб. 1319

Подробнее...

Кафедра физики твердого тела и микроэлектроники

 2011

 Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И., Дмитриев В.А., Штейнгарт А.П. Малошумящие СВЧ полевые транзисторы на арсениде галлия для систем связи // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. – 2011.  Вып. 1, 2. – С. 80-85.

 Селезнев Б.И.  50 лет: от филиала до института. Страницы истории //Научно-популярный журнал «Время открытий», спец. выпуск газеты «Новгородский университет», ноябрь 2011. – С. 3-4.  http://www.novsu.ru  в разделе «Пресса»

 Селезнев Б.И.  Второе дыхание РЭП: перспективы развития // Научно-популярный журнал «Время открытий», спец. выпуск газеты «Новгородский университет», ноябрь 2011. – С. 5-7. 

 Селезнев Б.И.  Кадры на перспективы // Научно-популярный журнал «Время открытий», спец. выпуск газеты «Новгородский университет», ноябрь 2011. – С. 7-8. 

 Селезнев Б.И., Ионов А.С., Петров А.В., Козловский Э.Ю., Тимофеев Г.О.  Зондовые и оптические исследования микро- и наноструктур на основе арсенида галлия // Вестник НовГУ.  Серия «Технические науки». – 2011. - № 65 . – С. 31-36.

 Вечерко Г.Ю., Стукалов А.Н.,  Шишлянников Б.М.  Особенности проектирования полупроводниковых преобразователей давления // Вестник НовГУ.  Серия «Технические науки». – 2011. - № 65 . – С. 13-17.

 Селезнев Б.И.  К 50-летию высшего радиоэлектронного образования в Великом Новгороде // Вестник НовГУ.  Серия «Технические науки». – 2011. - № 65 . – С. 5-6.

2012

 Платонов С.В., Пермяков Н.В., Селезнев Б.И., Мошников В.А., Козловский Э.Ю., Осипов А.М. Малошумящие арсенид-галлиевые усилители при воздействии электромагнитных помех повышенных интенсивностей // Вестник НовГУ. – 2012. - № 67. – С. 29-32.

 Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И. Моделирование СВЧ малошумящего pHEMT транзистора с применением САПР Microwave Office // Вестник НовГУ. – 2012. - № 68. – С. 41-45.

 Захаров М.А., Бараблин Д.О., Панов Г.А. Моделирование эвтектических диаграмм состояния бинарных растворов при наличии растворимости одного из компонентов в твердом состоянии // Вестник НовГУ. – 2012. - № 68. – С. 12-15.

 Селезнев Б.И., Осипов А.М., Платонов С.В. Защита СВЧ малошумящего усилителя от статического электричества и входной СВЧ мощности // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. – 2012. - № 1-2. – С. 153-156.

2013

 Павлов Д.В., Петров М.Н., Лукин К.Г.  Разработка алгоритма коррекции показаний БИНС при помощи астронавигационной системы // Вестник НовГУ. –  Серия «Физ.-мат. науки» - 2013. - № 75, т. 2. – С. 31-34.

 Захаров М.А. Расчет диаграмм состояния бинарных систем Au-Cu и Au-Ni в рамках обобщенной решеточной модели // Вестник НовГУ. -  Серия  «Физ.-мат. науки».– 2013 . – № 73, т. 2. –  С. 5-6.   

 Селезнев Б.И., Гудков Г.В., Штро А.В., Петров А.В., Ионов А.С. Применение векторного анализатора цепей для измерений параметров СВЧ pin-диодов // Измерительная техника. – 2013.  - № 11. – С. 60-64.  

 Козловский Э.Ю., Осипов А.М., Селезнёв Б.И. СВЧ МИС МШУ на основе наногетероструктур GaAs pHEMT // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. – 2013. - № 1, 2. – С.134-137.

  Barablin D.O., Zakharov M.A.  Phase diagram calculation of  binary solutions of the peritectiv type in the generalized lattice model // Journal of  Phisics: Conference Series. –  2013. – Vol. 461. (012005).

 Panov G.A., Zakharov M.A. Thermodynamics of binary solutions of  the eutectic type with several intermediate phases of constant // Journal of  Phisics: Conference Series. – 2013. – Vol. 461. (012003).

2014

Лукин К.Г., Павлов Д.В. Петров М.Н. Оценка времени, затрачиваемого на обработку алгоритма коррекции показаний БИНС при помощи астронавигационной системы Вестник НовГУ. –  Серия «Технические науки». - 2014. - № 81. – С.  49-51.

Гудков Г.В., Ионов А.С., Селезнев Б.И., Штро А.В. Переключательные СВЧ pin-диоды // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. – 2014. - № 1, 2. – С. 113-117.

Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И. Двойной балансный смеситель на диодах Шоттки // Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. – 2014. - № 1, 2. – С. 118-120.

Мошников В.А., Налимова С.С., Селезнев Б.И. Газочувствительные слои на основе фрактально-перколяционных структур // Физика и техника полупроводников. – 2014. – Т. 48, вып. 11. – С. 1535-1539.

 Panov G.A., Zakharov M.A. Prediction of phase equilibria in the W-Si system in the generalized lattice model // Journal of  Physics: Conference Series. -  2014. – Vol. 541.

 Гаврушко В.В., Селезнев Б.И., Фомин Л.В. Разработка эскизных вариантов конструкций фотоприемников // Сборник научных статей по итогам Международной научно-практической конференции «Новые технологии как инструмент реализации стратегии развития и модернизации в экономике, управлении проектами, педагогике … математике, технике, физике, информатике, градостроительстве». С-Петербург: изд-во КультИнформПресс, 2014. – С.35-37.

 Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И. Монолитная интегральная схема двойного балансного смесителя на диодах Шоттки // Сборник трудов третьей Всероссийской конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», 2-5 июня 2014. – СПб: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2014. - С.68-72.

 Платонов С.В., Селезнев Б.И. Характеристики малошумящих усилителей на арсениде галлия, подвергнутых воздействию мощных СВЧ импульсов // Сборник трудов третьей Всероссийской конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», 2-5 июня 2014. – СПб: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2014. - С.122-125.

2015

Павлов Д.В., Петров М.Н., Лукин К.Г. Метод температурной  калибровки блока микромеханических акселерометров бесплатформенной инерциальной навигационной системы // Метрология. - № 2. – 2015. – С.25-35.

 Павлов Д.В., Петров М.Н., Лукин К.Г. Разработка математической модели MEMS-акселерометра // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. – 2015. - № 8(91). – С. 22-25.

 Спивак Ю.М., Белорус А.О., Селезнев Б.И., Мошников В.А. Морфология и свойства поверхности пористого кремния для адресной доставки лекарств // Вестник НовГУ. Сер. Технические науки. - № 8 (91). – 2015. – С.77-80.

 Панов Г.А., Захаров М.А. Расчет диаграмм состояния бинарных систем In-Sb и In-As в рамках обобщенной решеточной модели // Вестник НовГУ. Сер.: Физико-математические науки. – 2015. № 3 (86). – Ч. 2. – С. 67-69.

 Панов Г.А., Захаров М.А. Расчет диаграмм состояния бинарных растворов Sn-Te И Pb-Te в рамках обобщенной решеточной модели // Вестник НовГУ. Сер.: Физико-математические науки. – 2015. № 6 (89).  – С. 94-96.

 Panov G.A., Zakharov M.A. Phase diagram calculation of AIIIBV binary solutions of the eutectric type in the generalized lattice model // J. Phys.: Conf. Ser. – 2015. – 643. 012102

 Козловский Э.Ю., Мошников В.А., Пермяков Н.В., Селезнев Б.И. Методики контроля HEMT транзисторов в условиях производства методами атомно-силовой микроскопии // Юбилейная 70-я Всероссийская научно-техническая конференция: труды конференции. - Т. 2. – 2015. – С.41-42.

 Бобков А.А., Мошников В.А., Налимова С.С., Селезнев Б.И. Анализ особенности получения газочувствительных перколяционных кластеров и анализ их свойств методами импедансной спектроскопии // Химическая термодинамика и кинетика: сб. докл. Пятой Междунар. Науч. Конф. Великий Новгород, 25-29 мая 2015 г. – Великий Новгород, 2015.- С. 30-31.

 Панов Г.А., Захаров М.А. Расчет диаграмм состояния бинарных систем Al-P и  Al-Sb в рамках обобщенной решеточной модели // Химическая термодинамика и кинетика: сб. докл. Пятой Междунар. Науч. Конф. Великий Новгород, 25-29 мая 2015 г. – Великий Новгород, 2015.- С. 161-162.

 Федоров Д.Г., Желаннов А.В., Селезнев Б.И. Диоды Шоттки на структурах GaN с ионно-легированными слоями // Мокеровские чтения. 6-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 20-21 мая 2015 г.: сборник трудов. – М.: НИЯУ МИФИ, 2015. – С.44-45.

 2016

Павлов Д.В., Лукин К.Г., Петров М.Н. Разработка имитационной модели MEMS-акселерометра в среде Simulink // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. – 2016. - № 4(95). – С. 28-33.

 Осипов А.М., Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И. Малошумящий усилитель с выключателем // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. – 2016. - № 4(95). – С. 76-79.

 Селезнев Б.И., Москалев Г.Я., Федоров Д.Г.  Фотонный отжиг имплантированных кремнием слоев нитрида галлия // Физика и техника полупроводников. – 2016. – Т. 50, вып. 6. – С. 848-853.

 Zakharov A.Yu., Zakharov M.A. Classical many-body theory with retarded interactions: Dynamical irreversibility and determinism without probabilities // Physics Letters A 380 (2016). – P. 365-369. - Режим доступа: www.url: http://www.elsevier.com/locate/pla

 Телина И.С. Использование R в статистических методах управления качеством [Электронный ресурс] // Ученые записки НовГУ. – 2016. -  № 3 (7). - Режим доступа: www.url: http://www.novsu.ru/file/1241625     

 Захаров М.А., Михайлов Д.А. К теории квазиравновесных состояний многокомпонентных твердых растворов // Шестая Международная научная конференция «Химическая термодинамика и кинетика»: сборник научных трудов. – Тверь, Тверской государственный университет, 2016. – С. 115.

 Грицкевич И.Ю., Телина И.С. Оценка алгоритмов управления временем экспозиции // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. - 2016. - № 7 (98). - С. 6-12.

 Гудков Г.В., Желаннов А.В., Ионов А.С., Петров А.В., Федоров Д.Г. Измерительный комплекс характеристик микроструктур на пластине // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. - 2016. - № 7 (98). - С. 12-16.

 Захаров М.А. Расчет основных типов диаграмм состояния бинарных растворов в рамках обобщенной модели // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. - 2016. - № 7 (98). - С. 22-26.

 Мараева Е.В., Тарасов С.А., Михайлов И.И., Мошников В.А., Мусихин С.Ф., Селезнев Б.И., Спивак Ю.М. Фотолюминесценция коллоидных кантовых точек в кремний-содержащих пористых слоях // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. - 2016. - № 7 (98). - С. 37-40.

 Павлов Д.В., Петров М.Н. Методика оценки спектрального состава шума в канале акселерометра инерциального навигационного модуля // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. - 2016. - № 7 (98). - С. 85-89.

Заворотнев Ю.Д., Захаров А.Ю., Метлов Л.С., Захаров М.А. Влияние дислокаций на структурный параметр порядка в кристалле при интенсивной пластической деформации кручением // ФТВД. -  Т. 26, вып. 3-4, декабрь 2016. – С.71-79.

 2017

 Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. ИК-спектроскопия пленок диоксида кремния, полученных низкотемпературными методами // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. - 2017. - № 5 (103). - С. 114-118.

 Желаннов А.В., Селезнев Б.И. Исследование характеристик барьера Шоттки на нитриде галлия в процессе обработки в хлорной плазме // Микро-  и нанотехнологии в электронике. Материалы IX Международной научно-технической конференции. – Нальчик: Каб.-Балк. ун-т, 2017. – С. 407-410.

 Федоров Д.Г., Селезнев Б.И., Желаннов А.В. Применение технологии ионной имплантации для формирования приборов на основе GaN // Микро-  и нанотехнологии в электронике. Материалы IX Международной научно-технической конференции. – Нальчик: Каб.-Балк. ун-т, 2017. – С. 411-414.

 Федоров Д.Г., Ионов А.С., Петров А.В., Селезнев Б.И. Ионно-легированные слои на нитриде галлия // Мокеровские чтения. 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24 мая 2017 г.: сборник трудов. – М.: НИЯУ МИФИ, 2017. – С.48-49.

 Желаннов А.В., Ионов А.С., Петров А.В., Селезнев Б.И. Влияние травления на характеристики структур диодов Шоттки на нитриде галлия //  Мокеровские чтения. 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24 мая 2017 г.: сборник трудов. – М.: НИЯУ МИФИ, 2017. – С.50-51.

 Воропаев К.О., Селезнев Б.И., Ионов А.С. Вертикально-излучающие лазерыближнего ИК-диапазона // Мокеровские чтения. 8-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 24 мая 2017 г.: сборник трудов. – М.: НИЯУ МИФИ, 2017. – С.142-143.

 Желаннов А.В., Селезнев Б.И. Плазмохимическое травление нитрида галлия в хлорсодержащей среде // Химическая термодинамика и кинетика: сб. докл. Седьмой Междунар. Науч. Конф. Великий Новгород, 29 мая -2 июня 2017 г. – Великий Новгород, 2015.- С. 99-100.

 Жердев Н.В., Захаров М.А. Моделирование диаграмм состояния бинарных растворов Co-Si и Pt-Si в рамках обобщенной решеточной модели с учетом объемных эффектов // Химическая термодинамика и кинетика: сб. докл. Седьмой Междунар. Науч. Конф. Великий Новгород, 29 мая -2 июня 2017 г. – Великий Новгород, 2017.- С. 101-102.

Савченко Л.А., Петров М.Н. Нанопрофилирование резистной маски при создании Т-образного затвора СВЧ ПТШ // Химическая термодинамика и кинетика: сборник докладов Седьмой Международной научной конференции, В.Новгород, 29 мая-2 июня 2017 г.  – С.254-256.

 Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. ИК-спектроскопия пленок диоксида кремния, полученных низкотемпературными методами // Химическая термодинамика и кинетика: сб. докл. Седьмой Междунар. Науч. Конф. Великий Новгород, 29 мая -2 июня 2017 г. – Великий Новгород, 2017.- С. 273-274.

Желаннов А.В., Оказов А.К., Селезнев Б.И. Селективное травление GaN/AlGaN в хлорсодержащей среде Cl2/Ar/O2 // Твердотельная электроника. Сложные функциональные блоки РЭА: материалы XV научно-технической конференции. – М.: АО «НПП «Пульсар», 2017. – С.125-127.

Желаннов А.В., Ионов А.С., Петров А.В., Селезнев Б.И. Использование технологии микропрофилирования при формировании приборных структур на основе нитрида галлия // Нано- и микросистемная техника. – 2017. – Т. 19, № 7. – С.399-405.

 Воропаев К.О., Селезнев Б.И., Ионов А.С., Петров А.В. Омические контакты для вертикально-излучающих лазеров с внутрирезонаторными контактами на основе гетероэпитаксиальных структур арсенида галлия // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. – 2017. - № 6  (104). –  С.13-16.

 Грицкевич И.Ю., Виноградов А.С., Григорьев Д.С., Петров М.Н.  Улучшение качества потоковых изображений в реальном времени методом LAHE // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. – 2017. - № 6  (104). –   С.20-23.

 Желаннов А.В., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Технологические особенности формирования структур диодов Шоттки на нитриде галлия // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. – 2017. - № 6  (104). –  С.24-27.

Удальцов В.Е., Удальцов А.В., Фомин О.Г. Обеспечение тепловых режимов мощных светодиодов // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. – 2017. - № 6  (104). –  С.41-44.

 Воропаев К.О., Селезнев Б.И., Ионов А.С.,  Петров А.В. Полосковые оптические волноводы на основе тонких пленок Si3N4 с решеточными элементами ввода-вывода излучения // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. – 2017. – № 7 (105). – С.4-8.

 Савченко Л.А., Петров М.Н. Нанопрофилирование резистной маски при создании Т-образного затвора СВЧ ПТШ // Вестник НовГУ. Сер.: Технические науки. – 2017. – № 7 (105). – С.31-36.

2018

 Гудков Г.В., Желаннов А.В., Ионов А.С., Селезнев Б.И., Штро А.В. Источник-измеритель для импульсных измерений характеристик силовых полупроводниковых структур на пластине // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. – 2018. – № 1 (107). С.8-13.

 Соболев П.С., Черняк Б.В., Петров М.Н. Калибровка ИК матричного фотоприемного устройства методом трехточечной коррекции // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. – 2018. – № 1 (107). С.45-49.

 Petrov M.N. Development of compact Schottky diode model on GaN // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 441 (2018) 012036. - Режим доступа: www.url: http://iopscience.iop.org/issue/1757-899X/441/1

 Zhelannov A.V., Seleznev B.I. Non-alloyed ohmic Cr/Pt/Au contacts to GaN based structures // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 441 (2018) 012045. - Режим доступа: www.url:http://iopscience.iop.org/issue/1757-899X/441/1

 Zakharov M.A. Calculation of the state diagrams of binary Sn-Pb and Pb-Sb solutions in the framework of the generalized lattice model // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 441 (2018) 012062. - Режим доступа: www.url:http://iopscience.iop.org/issue/1757-899X/441/1

 Zhelannov A.V., Seleznev B.I. Improvements in the performance of the n+cap-layer GaN in the formation of transistor structures based on AlGaN / GaN // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 441 (2018) 012065.  - Режим доступа: www.url:http://iopscience.iop.org/issue/1757-899X/441/1

 Воропаев К.О., Селезнев Б.И. , Ионов А.С., Петров А.В. Вертикально-излучающие лазеры, сформированные методом спекания // Мокеровские чтения. 9-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 23 мая 2018 г.: сборник трудов. – М.: НИЯУ МИФИ, 2018. – С.42-43.

 Федоров Д.Г., Селезнев Б.И. Приборные структуры на основе GaN с ионно-легированными слоями // Мокеровские чтения. 9-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 23 мая 2018 г.: сборник трудов. – М.: НИЯУ МИФИ, 2018. – С.44-46.

 Желаннов А.В., Селезнев Б.И. Применение проводящего сар-слоя GaN при формировании транзисторных структур на нитриде галлия // Мокеровские чтения. 9-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 23 мая 2018 г.: сборник трудов. – М.: НИЯУ МИФИ, 2018. – С.46-47.

 Федоров Д.Г., Желаннов А.В., Селезнев Б.И. Влияние ионной имплантации на параметры приборных структур на основе GaN // Микро- и нанотехнологии в электронике: материалы X Международной научно-технической конференции. – Нальчик: Каб.-Балк. ун-т, 2018. – С.363-366.

 Желаннов А.В., Селезнев Б.И. Особенности постростовой технологии формирования транзисторных структур на нитриде галлия // Микро- и нанотехнологии в электронике: материалы X Международной научно-технической конференции. – Нальчик: Каб.-Балк. ун-т, 2018. – С.389-393.

 Воропаев К.О., Селезнев Б.И. Методы формирования мезаструктур вертикально-излучающих лазеров // Микро- и нанотехнологии в электронике: материалы X Международной научно-технической конференции. – Нальчик: Каб.-Балк. ун-т, 2018. – С.394-397.

 Захаров М.А. Моделирование фазовых диаграмм бинарных растворов Sn-Pb и Pb-Sb в рамках обобщенной решеточной модели // Химическая термодинамика и кинетика: сборник докладов Восьмой Международной научной конференции, г. Тверь, 28 мая-1 июня 2018 г.  – С.141-142.

Воропаев К.О., Селезнев Б.И.,Ионов А.С., Прохоров А.Ю. Плазмохимическое травление распределенного брэгговского отражателя на основе гетероструктуры GaAs/AlGaAs // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. – 2018. – № 3 (109). С.9-12.

 Рычко А.Р., Телина И.С. Исследование причин несоответствий изготовленных по LTCC технологии СВЧ-фильтров // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. – 2018. – № 4 (110). С.9-16.   

 Силков А.Р., Петров М.Н.  Стабилизация линии визирования в условиях сильных вибрационных воздействий // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. – 2018. – № 4 (110). С.43-47.

2019

 Желаннов А.В., Селезнев Б.И.,Федоров Д.Г. Применение ионной имплантации при формировании приборных структур на основе гетероэпитаксиального перехода AlGaN/GaN // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. – 2019. – № 2 (114). С.7-9.

 Захаров А.Ю., Захаров М.А. Точно решаемая модель гистерезисных явлений в одноосных сегнетоэлектриках // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. – 2019. – № 2 (114). С.10-13.

 Соболев П.С., Черняк Б.В., Петров М.Н. Коррекция влияния температуры окружающей среды на оптическую систему тепловизионного канала // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. – 2019. – № 2 (114). С.27-30. 

 Жарков В.И., Воропаев К.О., Селезнев Б.И. Разработка процесса ионно-плазменного травления слоя оксида индия-олова для формирования электро-абсорбционного модулятора // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. – 2019. – № 4 (116). С.13-16. 

 Семенова А.А., Петров М.Н. Защитное устройство GaAs для работы в Х-диапазоне частот // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. – 2019. – № 4 (116). С.49-52. 

 Fedorov D.G., Zhelannov A.V., Seleznev B.I., Petrov M.N. Compact model of  a Schottky diode on GaN // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series1352 (2019) 012018.

 Petrov M.N., Sobolev P.S., Cherniak B.V. Calibration of thermal imaging systems based on matrix IR photodetectors // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series1352 (2019) 012036.

 Rychko A.R., Telina I.S., Petrov E.V., Popov V.V. Modelling of microwave filters based on LTCC // OP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series1352 (2019) 012042.

 Zakharov M.A. Calculation of some types of phasediagrams of binary solutions in the framework of the generalized lattice model // IOP Conf. Series: Journal of Physics: Conf. Series1352 (2019) 012061.

 Zhelannov A.V., Seleznev B.I., Fedorov D.G. Methods for processing structures based on solid solutions of AIIIBV compounds // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 656 (2019) 012060.

 Желаннов А.В., Петров М.Н., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Моделирование диодов Шоттки с ионно-легированными слоями на нитриде галлия // Мокеровские чтения. 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 15-16 мая 2019 г.: сборник трудов. – М.: НИЯУ МИФИ, 2019. – С.57-58.

 Желаннов А.В., Ионов А.С., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Омические контакты с ионно-легированными подконтактными слоями к приборным структурам на основе нитрида галлия // Мокеровские чтения. 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 15-16 мая 2019 г.: сборник трудов. – М.: НИЯУ МИФИ, 2019. – С.59-60.

 Воропаев К.О., Селезнев Б.И., Ионов А.С. Формирование апертуры вертикально-излучающего лазера с длиной волны генерации 1550 нм // Мокеровские чтения. 10-я Юбилейная Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 15-16 мая 2019 г.: сборник трудов. – М.: НИЯУ МИФИ, 2019. – С.181-182.

 Жарков В.И., Селезнев Б.И., Воропаев К.О. Исследование  пленок нитрида кремния, выращенных методами плазмохимического и газофазного осаждения // Сборник материалов конференции. VII научно-практическая конференция с международным участием «Наука настоящего и будущего» для студентов, аспирантов и молодых ученых; СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2019.–  С.74-77.

 Желаннов А.В., Петров М.Н., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Компактная модель диодов Шоттки с ионно-легированными слоями на нитриде галлия // Микро- и нанотехнологии в электронике. Материалы XI Международной научно-технической конференции. – Нальчик: Каб.-Балк. ун-т., 2019, с. 523-526.

 Желаннов А.В., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Разработка технологии изготовления и исследование транзисторов на основе нитрида галлия // Микро- и нанотехнологии в электронике. Материалы XI Международной научно-технической конференции. – Нальчик: Каб.-Балк. ун-т., 2019, с. 527-530.

Информацию опубликовал: Златина Галина Григорьевна, 10.01.2020 15:19:35
Ответственный за информацию: Эминов Стефан Ильич