Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2008 > № 46 > Селезнев Б.И., Семенова Л.М. Исследование характеристик структур СВЧ полевых транзисторов на арсениде галлия

Селезнев Б.И., Семенова Л.М. Исследование характеристик структур СВЧ полевых транзисторов на арсениде галлия

УДК 621.382.323
С е л е з н е в Б. И., С е м е н о в а Л. М. Исследование характеристик структур СВЧ полевых транзисторов на арсениде галлия // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Техн. науки. 2008. № 46, стр. 20-24
Освещены результаты диагностики квантово-размерных гетероструктур на арсениде галлия с использованием методик на основе холловских и эллипсометрических измерений при послойном травлении. Проведены оценки влияния технологических факторов и типа исходных эпитаксиальных структур на сопротивление канала полевых транзисторов с барьером Шотки. Представлено обоснование выбора типа структур для изготовления ключевых транзисторов.
Библиогр. 5 назв. Ил. 6. Табл. 2.

Загрузить (708 КБ)