Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2010 > №60 > Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И., Иванов Н.Н. Особенности технологии изготовления и оптимизация конструкции малошумящего PHEMT транзистора СВЧ диапазона

Козловский Э.Ю., Селезнев Б.И., Иванов Н.Н. Особенности технологии изготовления и оптимизация конструкции малошумящего PHEMT транзистора СВЧ диапазона

УДК 621.382.323
К о з л о в с к и й Э. Ю., С е л е з н е в Б. И., И в а н о в Н. Н. Особенности технологии изготовления и оптимизация конструкции малошумящего PHEMT транзистора СВЧ диапазона // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические нау-ки. 2010. № 60. С.69-73.
Рассматриваются особенности технологии изготовления СВЧ транзистора на pHEMT структурах и оптимизация его конструкции с целью управления параметрами готового прибора и достижения наилучших динамических и СВЧ характеристик. Приведены характеристики малошумящего pHEMT транзистора СВЧ диапазона, разработанного и изготовленного на основе проведенных исследований.
Библиогр. 3 назв. Табл. 1. Ил. 6.

Загрузить (644 КБ)