Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2010 > №60 > Желаннов А.В., Удальцов В.Е., Падорин А.В. Исследование контактной системы Ti/Al/Ni/Au для диодных структур на основе нитрида галлия

Желаннов А.В., Удальцов В.Е., Падорин А.В. Исследование контактной системы Ti/Al/Ni/Au для диодных структур на основе нитрида галлия

УДК 621.382
Ж е л а н н о в А. В., У д а л ь ц о в В. Е., П а д о р и н А. В. Исследование контактной системы Ti/Al/Ni/Au для диодных структур на основе нитрида галлия // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2010. № 60. С.65-69.
Представлено исследование параметров контактов на основе системы металлизации Ti/Al/Ni/Au к эпитаксиальным пленкам GaN n-типа проводимости. Рассмотрено влияние толщины металлизации и параметров отжига (температура и время) на электрофизические (вольт-амперная характеристика, величина удельного контактного сопротивления), структурные (морфология поверхности) параметры контактной системы. Для металлизации Ti(40нм)/Al(160нм)/Ni(40нм)/Au(150нм) получено значение удельного контактного сопротивления 2•10–5 Ом•см2.
Библиогр. 6 назв. Табл. 1. Ил. 7.

Загрузить (993 КБ)