Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2004 > № 28 > Окунев А.О., Данильчук, Л.Н. Ткаль В.А., Дроздов Ю.А. Секционные топограммы дислокаций в 6H-SiC

Окунев А.О., Данильчук, Л.Н. Ткаль В.А., Дроздов Ю.А. Секционные топограммы дислокаций в 6H-SiC

УДК 539.2:548.4:548.73
О к у н е в А. О., Д а н и л ь ч у к Л. Н., Т к а л ь В. А., Д р о з д о в Ю. А. Секционные топограммы дислокаций в 6H-SiC // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Техн. науки. 2004. №28, стр. 143-149
Получены и интерпретированы секционные топограммы краевых и винтовых дислокаций c осью [0001] в SiC, дано объяснение формирования изображений в этом случае. Экспериментально исследованы особенности контраста при различном расположении дислокаций в пределах треугольника Бормана. Показано, что характер изображения краевой дислокации принципиально меняется при изменении направления вектора дифракции на противоположное. Выявлен вклад дальнего поля деформаций в секционные изображения краевых и винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности кристалла.
Библиогр. 13 назв. Ил. 4.

Загрузить (461 КБ)