Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2019 > №4(116) Технические науки > Семенова А.А., Петров М.Н. Защитное устройство на GaAs для работы в Х-диапазоне частот

Семенова А.А., Петров М.Н. Защитное устройство на GaAs для работы в Х-диапазоне частот

УДК 621.382
С е м е н о в а А. А., П е т р о в М. Н. Защитное устройство на GaAs для работы в Х-диапазоне частот // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2019. №4(116). С.49-52. Библиогр. 3 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: арсенид галлия, защитное устройство, газофазная эпитаксия, pin-структура, приборы импульсной и силовой электроники

Рассматриваются проблемы конструирования и технологии изготовления защитных устройств на базе СВЧ монолитных интегральных схем (МИС), выполненных на GaAs. В процессе работы обоснован выбор элементной базы в виде pin диодов и реализована технология их изготовления с помощью газофазной эпитаксии. Основная часть работы посвящена разработке технологии создания низкоомных и малоиндуктивных шин металлизации на базе сквозных металлизированных отверстий, соединяющих элементы на лицевой стороне интегральных схем с металлизацией обратной стороны. Особое внимание уделено проектированию оптимальных геометрических размеров проводящих линий МИС защитных устройств на базе требований по волновому сопротивлению и фазовому набегу. Полученные электрические параметры СВЧ МИС удовлетворяют функциональному назначению защитных устройств для частот 10 ГГц.

UDC 621.382
S e m e n o v a A. A., P e t r o v M. N. Protective device on GaAs for operation in X-band frequencies // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2019. №4(116). P.49-52. The reference list 3 items.

K e y w o r d s: gallium arsenide; protective device; gas phase epitaxial growth; p-i-n-structure; pulsed power devices

The article discusses the problems of design and manufacturing technology of protective devices based on microwave MIS, made on GaAs. In the process of work, the choice of the element base in the form of pin diodes is justified and the technology of their manufacture using gas-phase epitaxy is implemented. The main part of the work is devoted to the development of technology for creating low-resistance and low-inductance metallization buses based on through metalized via connecting elements on the front side of the IC with metallization of the reverse side. Particular attention is paid to the design of the optimal geometric dimensions of the conductive lines of the MIS memory based on the requirements for wave resistance and phase incursion. The obtained electrical parameters of the microwave MIS satisfy the functional purpose of the protective devices for frequencies of 10 GHz.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2019.4(116).49-52

Загрузить (444 КБ)