Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2019 > №4(116) Технические науки > Марченко Н.И., Стукалов А.Н. Определение критических технологических операций при изготовлении СВЧ МИС на GaAs

Марченко Н.И., Стукалов А.Н. Определение критических технологических операций при изготовлении СВЧ МИС на GaAs

УДК 621.382.2
М а р ч е н к о Н. И., С т у к а л о в А. Н. Определение критических технологических операций при изготовлении СВЧ МИС на GaAs // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2019. №4(116). С.25-29. Библиогр. 6 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: тестовые ячейки, арсенид-галлиевые микросхемы, монолитная интегральная схема, критические технологические процессы

Рассматривается метод определения критических технологических процессов для изготовления СВЧ монолитных интегральных схем (МИС) на GaAs. Представлена технологическая схема изготовления СВЧ МИС на основе гетероэпитаксиальной структуры, сформированной на арсенид-галлиевой подложке. Проведен анализ технологических операций по частоте их использования и построена гистограмма абсолютной значимости технологических процессов. Предложен способ определения рисков методом FMEA и выбора альтернативных технологических процессов. Была определена связь между изменением линейного размера затвора транзистора с его СВЧ характеристиками, такими, как граничная частота и коэффициент шума. Приведена оценка рисков при изготовлении СВЧ МИС на GaAs в зависимости от трех типов литографии: контактной, проекционной и электронно-лучевой. Предложен пример топологии тестовой ячейки для контроля процессов литографии.

UDC 621.382.2
M a r c h e n k o N. I., S t u k a l o v A. N. Determination of critical technological operations in the manufacture of MMIC GaAs // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2019. №4(116). P.25-29. The reference list 6 items.

K e y w o r d s: test monitors, gallium arsenide chips, monolithic integrated circuit, critical technological processes

The method of determining critical technological processes for the manufacture of MMIC on GaAs is considered. The technological scheme of MMIC manufacturing based on heteroepitaxial structure formed on gallium arsenide substrate and histogram of technological processes significance are presented. The method of risk determination by FMEA method and choice of alternative technological processes is offered. An example of a test monitors for control of lithography processes is proposed.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2019.4(116).25-29

Загрузить (2369 КБ)