Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2019 > №4(116) Технические науки > Жарков В.И., Воропаев К.О., Селезнев Б.И. Разработка процесса ионно-плазменного травления слоя оксида индия-олова для формирования электро-абсорбционного модулятора

Жарков В.И., Воропаев К.О., Селезнев Б.И. Разработка процесса ионно-плазменного травления слоя оксида индия-олова для формирования электро-абсорбционного модулятора

УДК 621.382.2
Ж а р к о в В. И., В о р о п а е в К. О., С е л е з н е в Б. И. Разработка процесса ионно-плазменного травления слоя оксида индия-олова для формирования электро-абсорбционного модулятора // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2019. №4(116). С.13-16. Библиогр. 3 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: электро-абсорбционный модулятор, ионное-плазменное травление, оксид индия-олова (ITO), растровая электронная микроскопия (РЭМ), кислородная (О2) плазма

Представлено исследование технологии формирования рельефа активной области электро-абсорбционного модулятора на основе слоя оксида индия-олова. В результате экспериментальных исследований авторами был выделен процесс ионно-плазменного травления в качестве оптимального варианта для создания рельефа с заданными геометрическими размерами. Также в работе рассмотрено влияние отжига в кислородной плазме на величину поверхностного сопротивления слоя оксида индия-олова, так как применение данной технологической операции позволит проводить более качественное удаление резистивной маски. Оценка глубины, а также вертикальности стенки полученного рельефа, проводилась методом растровой электронной микроскопии и представлена в виде РЭМ фотографий. Результатом исследований, представленных в статье, является метод ионно-плазменного травления слоя оксида индия-олова в среде аргона.

UDC 621.382.2
Z h a r k o v V. I., V o r o p a e v K. O., S e l e z n e v B. I. The development of a process ion-plasma etching of an indium tin oxide layer to form an electro-absorption modulator // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2019. №4(116). P.13-16. The reference list 3 items.

K e y w o r d s: electro-absorption modulator, ion-plasma etching, indium tin oxide (ITO), scanning electron microscopy (SEM), oxygen (O2) plasma

In this article, the research of the technology of forming the topography of the active region of an electro-absorption modulator by ion-plasma etching of an indium tin oxide layer is presented. As a result of experimental studies, the authors identified the process of ion-plasma etching as the best option for creating a relief with necessary geometric dimensions. The paper also describes the effect of annealing in the oxygen (O2) plasma on the value of the surface resistance of indium tin oxide, since the use of this technological operation will allow for better removal of the resistive mask. The depth and verticality of the wall of the etched region were estimated by scanning electron microscopy and presented in the form of SEM foto. The result of the research is the method of ion-plasma etching of a layer of indium-tin oxide in an argon medium.
DOI: https://doi.org/10.34680/2076-8052.2019.4(116).13-16

Загрузить (1430 КБ)