Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2008 > № 46 > Козловский Э.Ю., Осипов А.М. Низкобарьерные диоды Шотки на арсениде галлия

Козловский Э.Ю., Осипов А.М. Низкобарьерные диоды Шотки на арсениде галлия

УДК 621.382.323
К о з л о в с к и й Э. Ю., О с и п о в А. М. Низкобарьерные диоды Шотки на арсениде галлия // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Техн. науки. 2008. № 46, стр. 16-19
Представлены результаты экспериментального опробования способа уменьшения эффективной высоты барьера Шотки на арсенида галлия при изменении уровня легирования полупроводника в приповерхностной области.
Библиогр. 2 назв. Ил. 6. Табл. 5.

Загрузить (647 КБ)