Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2008 > № 46 > Букашев Ф.И., Фомин О.Г., Байбузов А.В., Смирнов А.Ю. Моделирование биполярного транзистора со статической индукцией

Букашев Ф.И., Фомин О.Г., Байбузов А.В., Смирнов А.Ю. Моделирование биполярного транзистора со статической индукцией

УДК 621.382.3, 004.942
Б у к а ш е в Ф. И., Ф о м и н О. Г., Б а й б у з о в А. В., С м и р н о в А. Ю. Моделирование биполярного транзистора со статической индукцией // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Техн. науки. 2008. № 46, стр. 13-16
Рассмотрено моделирование биполярных транзисторов со статической индукцией (БСИТ) в аспекте их использования в схемотехнических системах автоматизированного проектирования на основе SPICE. Проанализированы известные модели биполярных транзисторов и полевых транзисторов с управляющим p-n переходом, оценена степень их пригодности для описания характеристик БСИТ. Определено, что из существующих моделей наиболее пригодной для моделирования БСИТ является модель Гумме-ля—Пуна. Представлены результаты моделирования БСИТ КТ6127В и биполярного транзистора КТ810Б, проведено сравнение полученных описаний.
Библиогр. 11 назв. Ил. 2.

Загрузить (612 КБ)