Вестник НовГУ

Вестник НовГУ > 2019 > №2(114) Технические науки > Желаннов А.В., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Применение ионной имплантации при формировании приборных структур на основе гетероэпитаксиального перехода AlGaN/GaN

Желаннов А.В., Селезнев Б.И., Федоров Д.Г. Применение ионной имплантации при формировании приборных структур на основе гетероэпитаксиального перехода AlGaN/GaN

УДК 621.382.2
Ж е л а н н о в А. В., С е л е з н е в Б. И., Ф е д о р о в Д. Г. Применение ионной имплантации при формировании приборных структур на основе гетероэпитаксиального перехода AlGaN/GaN // Вестн. Новг. гос. ун-та. Сер.: Технические науки. 2019. №2(114). С.7-9. Библиогр. 6 назв.

К л ю ч е в ы е с л о в а: ионная имплантация, гетероэпитаксиальная структура AlGaN/GaN, вольтамперная характеристика, диодная структура

Рассматривается технологический цикл формирования диодных структур на основе гетероэпитаксиального перехода AlGaN/GaN с применением технологии ионной имплантации через маску диоксида кремния разной толщины. Представлены распределения Si+ в AlGaN, имплантированного через маску разной толщины. Показано уменьшение контактного сопротивления омических контактов на основе Ti/Al/Ni/Au с 1,2 Ом•мм до 0, 8 Ом•мм при использовании пленки SiO2 толщиной 50 нм по сравнению с образцами без ионного легирования. Барьерные контакты сформированы на основе системы металлизации Ni/Au. Представлены исследования вольтамперных характеристик диодных структур с разной глубиной залегания максимума имплантированной примеси. Показана перспективность использования технологии ионной имплантации для уменьшения контактного сопротивления диодных структур на основе гетероэпитаксиального перехода AlGaN/GaN.

UDC 621.382.2
Z h e l a n n o v A. V., S e l e z n e v B. I., F e d o r o v D. G. Application of ion implantation in the formation of device structures based on the heteroepitaxial algan/gan transition // Vestnik NovSU. Issue: Engineering Sciences. 2019. №2(114). P.7-9. The reference list 6 items.

K e y w o r d s: ion implantation, AlGaN / GaN heteroepitaxial structure, current-voltage characteristic, diode structure

The technological cycle of the formation of diode structures based on the AlGaN/GaN heteroepi-epithelial transition using the technology of ion implantation through a mask of silicon dioxide of different thickness is considered. The distribution of Si+ in AlGaN implanted through a mask of different thickness is presented. A decrease in the contact resistance of ohmic contacts on the basis of Ti/Al/Ni/Au from 1.2 Ω•mm to 0.8 Ω•mm is shown when using a 50 nm thick SiO2 film compared to samples without ion doping. Barrier contacts are formed on the basis of the Ni/Au metalization system. Studies of the current-voltage characteristics of diode structures with different depths of the maximum implanted impurity are presented. The application perspectiveness of implantation technology to reduce the contact resistance of diode structures based on the AlGaN/GaN heteroepitaxial transition is shown.
DOI:https://doi.org/10.34680/2076-8052.2019.2(114).7-9

Загрузить (555 КБ)